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特惠供应现货20DE144A0ENNANANE
发布时间:2024/4/29 5:10:45
发布:zexu
以下型号均:
碳化硅材料的绝缘击穿电场强度大约比单晶硅高10倍。 除此之外,由于主要决定电阻的漂移层的厚度也只有单晶硅的十分之一,所以电阻也大幅降低,从而进一步减少电能损耗。 同时,SiC的优越性能也大幅降低了功率器件的导通损耗以及关损耗。
高输出频率1),代码 J01
HG-KR73J
DVP24XN00R
DVP40ES00T2
DVP24XP11T
DVP40ES00R2
DVP32XP00R
DVP24XP00R
DVP32XP00T
DVP24XN00R
DVP16XN11T
DVP32XP00R
DVP60ES00R2
DVP24ES00T2
DVP20EX00R2
DVP10SX11R
DVP04DA-H2?
TM258LF42DR
TM258LD42DT4L
TM258LF66DT4L
FM802-L2-A2
FM802-L2-B01
FM148A-D01
HG-SR502J
HG-SR102J
AGP3600-T1-D24
AST3501-T1-AF
GP470-EG11
gmr-32b
MTL4016
L6EXE-CM
l6ec-cm
ly41nt1p-cm
L6EXB-CM
科隆SD200W Krohne科隆 SD 200W
罗伯特MV-99E
EC-6850
关稳压电源 WY-02-4XP
HS130-SSC-25
netLINK HTB-1100S-25Km
SM201-B0 A0
17 BA00-2AF2 SCALANCE XF208
HG-SR202J
HG-SR352J
HG-KR43J
PML303X4-B-34-B2
TM258LF42DT
TM5C24D12R
TM238LFDC24DT
动态转矩矢量控制
动态转矩矢量控制是一种 的驱动控制技术。控制系统高速计算电机负载所需功率,控制电压和电流矢量,限度发挥电机输出转矩。
·按照动态转矩矢量控制方式,能配合负载实现在 短时间内平稳地加减速
碳化硅材料的绝缘击穿电场强度大约比单晶硅高10倍。 除此之外,由于主要决定电阻的漂移层的厚度也只有单晶硅的十分之一,所以电阻也大幅降低,从而进一步减少电能损耗。 同时,SiC的优越性能也大幅降低了功率器件的导通损耗以及关损耗。
高输出频率1),代码 J01
HG-KR73J
DVP24XN00R
DVP40ES00T2
DVP24XP11T
DVP40ES00R2
DVP32XP00R
DVP24XP00R
DVP32XP00T
DVP24XN00R
DVP16XN11T
DVP32XP00R
DVP60ES00R2
DVP24ES00T2
DVP20EX00R2
DVP10SX11R
DVP04DA-H2?
TM258LF42DR
TM258LD42DT4L
TM258LF66DT4L
FM802-L2-A2
FM802-L2-B01
FM148A-D01
HG-SR502J
HG-SR102J
AGP3600-T1-D24
AST3501-T1-AF
GP470-EG11
gmr-32b
MTL4016
L6EXE-CM
l6ec-cm
ly41nt1p-cm
L6EXB-CM
科隆SD200W Krohne科隆 SD 200W
罗伯特MV-99E
EC-6850
关稳压电源 WY-02-4XP
HS130-SSC-25
netLINK HTB-1100S-25Km
SM201-B0 A0
17 BA00-2AF2 SCALANCE XF208
HG-SR202J
HG-SR352J
HG-KR43J
PML303X4-B-34-B2
TM258LF42DT
TM5C24D12R
TM238LFDC24DT
动态转矩矢量控制
动态转矩矢量控制是一种 的驱动控制技术。控制系统高速计算电机负载所需功率,控制电压和电流矢量,限度发挥电机输出转矩。
·按照动态转矩矢量控制方式,能配合负载实现在 短时间内平稳地加减速
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